Extended defects in semiconducting materials investigated by transmission electron microscopy: structure and mobilities - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Extended defects in semiconducting materials investigated by transmission electron microscopy: structure and mobilities

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

IM2NP Bibliométrie  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-01705353

Soumis le : vendredi 9 février 2018-13:29:01

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01705353 , version 1 (09-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01705353 , version 1

Citer

M. Texier. Extended defects in semiconducting materials investigated by transmission electron microscopy: structure and mobilities. UNESP, Sep 2017, São Paulo Brazil. ⟨hal-01705353⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IM2NP
46 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More