High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces Année : 1991

High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy

Alain Jean Degiovanni
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
J.L. Guyaux
  • Fonction : Auteur
A. Thiry
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R. Caudano
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : vendredi 21 décembre 2018-17:02:30

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Dates et versions

hal-01963935 , version 1 (21-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01963935 , version 1

Citer

Alain Jean Degiovanni, J.L. Guyaux, A. Thiry, R. Caudano. High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy. Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 1991, 251-252, pp.238-242. ⟨hal-01963935⟩

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