AES study of surface segregation of Ge in amorphous Si1−xGex thin film alloys - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces Année : 2001

AES study of surface segregation of Ge in amorphous Si1−xGex thin film alloys

J Nyéki
  • Fonction : Auteur
Christophe Girardeaux
Z Erdélyi
  • Fonction : Auteur
G.A Langer
  • Fonction : Auteur
G Erdélyi
  • Fonction : Auteur
D.L Beke
  • Fonction : Auteur
A Rolland
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://amu.hal.science/hal-02045037

Soumis le : jeudi 21 février 2019-17:42:02

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Dates et versions

hal-02045037 , version 1 (21-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02045037 , version 1

Citer

J Nyéki, Christophe Girardeaux, Z Erdélyi, G.A Langer, G Erdélyi, et al.. AES study of surface segregation of Ge in amorphous Si1−xGex thin film alloys. Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2001, 495 (3), pp.195-203. ⟨hal-02045037⟩

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