Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
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https://amu.hal.science/hal-02111112
Soumis le : jeudi 25 avril 2019-17:52:49
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02111112 , version 1
Citer
V. Huard, C. Ndiaye, M. Arabi, N. Parihar, X. Federspiel, et al.. Key Parameters Driving Transistor Degradation in Advanced Strained SiGe Channels. IEEE International Reliability Physics Symposium, (IRPS), Mar 2018, Burlingame, California, United States. ⟨hal-02111112⟩
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