Electrical characterization, modeling and simulation of high-κ based MOS devices - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02121367 , version 1 (06-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02121367 , version 1

Citer

Jean-Luc Autran, Daniela Munteanu, Michel Houssa. Electrical characterization, modeling and simulation of high-κ based MOS devices. M. Houssa. Fundamental and Technological Aspects of High-κ Gate Dielectrics, IOP Publishing, pp.251-289, 2004. ⟨hal-02121367⟩
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