Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2015
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02385306
Soumis le : jeudi 28 novembre 2019-17:12:28
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Citer
Anthony de Luca, Michael Texier, Alain Portavoce, Nelly Burle, Catherine Grosjean, et al.. Mechanism of β-FeSi 2 precipitates growth-and-dissolution and pyramidal defects' formation during oxidation of Fe-contaminated silicon wafers. Journal of Applied Physics, 2015, 117 (11), pp.115302. ⟨10.1063/1.4915086⟩. ⟨hal-02385306⟩
40
Consultations
0
Téléchargements