B diffusion in implanted Ni2Si and NiSi layers - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

Dates et versions

hal-02386108 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

Citer

I. Blum, A. Portavoce, L. Chow, D. Mangelinck, K. Hoummada, et al.. B diffusion in implanted Ni2Si and NiSi layers. Applied Physics Letters, 2010, 96 (5), pp.054102. ⟨10.1063/1.3303988⟩. ⟨hal-02386108⟩
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