Growth and Dissolution Kinetics of Ultra Thin Silicon Films on Cu(100)

B. Lalmi; C. Girardeaux; A. Portavoce; J. Bernardini; B. Aufray

doi:10.1166/jnn.2009.M51

Article Dans Une Revue Journal of Nanoscience and Nanotechnology Année : 2009

Growth and Dissolution Kinetics of Ultra Thin Silicon Films on Cu(100)

(1) , , (2) , , (3)

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B. Lalmi

Fonction : Auteur

Laboratoire d'Electronique, Nanotechnologies, Capteurs

C. Girardeaux

Fonction : Auteur

A. Portavoce

Fonction : Auteur
PersonId : 864373
ORCID : 0000-0002-6390-1637

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

J. Bernardini

Fonction : Auteur

B. Aufray

Fonction : Auteur

Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02386130

Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-10:56:51

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-02386130 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02386130 , version 1
DOI : 10.1166/jnn.2009.M51

Citer

B. Lalmi, C. Girardeaux, A. Portavoce, J. Bernardini, B. Aufray. Growth and Dissolution Kinetics of Ultra Thin Silicon Films on Cu(100). Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2009, 9 (7), pp.4311-4315. ⟨10.1166/jnn.2009.M51⟩. ⟨hal-02386130⟩

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