Nanometric size effect on Ge diffusion in polycrystalline Si

A. Portavoce; G. Chai; L. Chow; J. Bernardini

doi:10.1063/1.3010297

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Nanometric size effect on Ge diffusion in polycrystalline Si

(1) , , , (2)

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A. Portavoce

Fonction : Auteur
PersonId : 864373
ORCID : 0000-0002-6390-1637

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

G. Chai

Fonction : Auteur

L. Chow

Fonction : Auteur

J. Bernardini

Fonction : Auteur
PersonId : 850162

Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02386156

Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:04:32

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-02386156 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02386156 , version 1
DOI : 10.1063/1.3010297

Citer

A. Portavoce, G. Chai, L. Chow, J. Bernardini. Nanometric size effect on Ge diffusion in polycrystalline Si. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (10), pp.104910. ⟨10.1063/1.3010297⟩. ⟨hal-02386156⟩

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