Mechanism of the nanoscale localization of Ge quantum dot nucleation on focused ion beam templated Si(001) surfaces

A. Portavoce; M Kammler; R Hull; M. Reuter; F Ross

doi:10.1088/0957-4484/17/17/028

Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2006

Mechanism of the nanoscale localization of Ge quantum dot nucleation on focused ion beam templated Si(001) surfaces

(1) , , , (2) ,

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2

A. Portavoce

Fonction : Auteur
PersonId : 864373
ORCID : 0000-0002-6390-1637

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

M Kammler

Fonction : Auteur

R Hull

Fonction : Auteur

M. Reuter

Fonction : Auteur

Institute of Environmental Physics [Bremen]

F Ross

Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02386247

Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:28:47

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-02386247 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02386247 , version 1
DOI : 10.1088/0957-4484/17/17/028

Citer

A. Portavoce, M Kammler, R Hull, M. Reuter, F Ross. Mechanism of the nanoscale localization of Ge quantum dot nucleation on focused ion beam templated Si(001) surfaces. Nanotechnology, 2006, 17 (17), pp.4451-4455. ⟨10.1088/0957-4484/17/17/028⟩. ⟨hal-02386247⟩

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