Growth kinetics of Ge islands during Ga-surfactant-mediated ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on Si(001) - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2004

Growth kinetics of Ge islands during Ga-surfactant-mediated ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on Si(001)

A. Portavoce
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
M. Kammler
  • Fonction : Auteur
R. Hull
  • Fonction : Auteur
M. Reuter
  • Fonction : Auteur
Institute of Environmental Physics [Bremen]
M. Copel
  • Fonction : Auteur
F. Ross
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02386256

Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:30:48

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

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Dates et versions

hal-02386256 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

Citer

A. Portavoce, M. Kammler, R. Hull, M. Reuter, M. Copel, et al.. Growth kinetics of Ge islands during Ga-surfactant-mediated ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on Si(001). Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2004, 70 (19), ⟨10.1103/PhysRevB.70.195306⟩. ⟨hal-02386256⟩

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