Article Dans Une Revue
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Année : 2004
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386256
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:30:48
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Citer
A. Portavoce, M. Kammler, R. Hull, M. Reuter, M. Copel, et al.. Growth kinetics of Ge islands during Ga-surfactant-mediated ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on Si(001). Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2004, 70 (19), ⟨10.1103/PhysRevB.70.195306⟩. ⟨hal-02386256⟩
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