Article Dans Une Revue
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Année : 2004
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386286
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:38:44
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Citer
A. Portavoce, I. Berbezier, P. Gas, A. Ronda. Sb surface segregation during epitaxial growth of SiGe heterostructures: The effects of Ge composition and biaxial stress. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2004, 69 (15), ⟨10.1103/PhysRevB.69.155414⟩. ⟨hal-02386286⟩
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