The effect of Sb on the oxidation of Ge quantum dots

Y.S. Lim; F. Bassani; A. Portavoce; A. Ronda; S. Nozaki; I. Berbezier

doi:10.1016/S0921-5107(02)00716-X

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The effect of Sb on the oxidation of Ge quantum dots

Y.S. Lim F. Bassani ¹ A. Portavoce ² A. Ronda ³ S. Nozaki I. Berbezier ²

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique

2 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

3 L2MP - Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence

Y.S. Lim AuthorId : 11673529
Author

F. Bassani ¹ AuthorId : 3095
Author

A. Portavoce ² AuthorId : 1157601
Author

A. Ronda ³ AuthorId : 4153
Author

S. Nozaki AuthorId : 634592
Author

I. Berbezier ² AuthorId : 11361133
Author

1 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique (LETI/DTS 17 rue des martyrs 38054 GRENOBLE CEDEX 9 - France) StructId : 616

CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5129 / EP2073 (France) StructId : 441569
UJF - Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (BP 53 - 38041 Grenoble Cedex 9 - France) StructId : 51016
CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France) StructId : 300016

2 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (Faculté des Sciences Avenue Escadrille Normandie Niemen Case 142 13397 Marseille Cedex 20 - France) StructId : 199957

UTLN - Université de Toulon : UMR7334 /UMR6242 (Avenue de l'Université - BP 20132 - 83957 La Garde Cedex - France) StructId : 303091
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR7334 /UMR6242 (France) StructId : 441569
AMU - Aix Marseille Université : UMR7334 /UMR6242 (Aix-Marseille Université Jardins du Pharo 58 Boulevard Charles Livon 13284 Marseille cedex 7 - France) StructId : 198056

3 L2MP - Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence (Case 142 Av. Escadrille Normandie-Niemen 13397 MARSEILLE CEDEX 20 - France) StructId : 845

Université Paul Cézanne - Aix-Marseille 3 (3, avenue Robert Schumann - 13628 Aix-en-Provence cedex 1 - France) StructId : 27501
Université de Provence - Aix-Marseille 1 (3, place Victor Hugo - 13331 Marseille Cedex 03 - France) StructId : 92823
UTLN - Université de Toulon (Avenue de l'Université - BP 20132 - 83957 La Garde Cedex - France) StructId : 303091
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6137 (France) StructId : 441569

Document type :

Journal articles

Domain :

Physics [physics] / Condensed Matter [cond-mat] / Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-02386306
Contributor : Alain Portavoce Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Friday, November 29, 2019 - 11:42:47 AM
Last modification on : Tuesday, July 27, 2021 - 11:42:03 AM

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HAL Id : hal-02386306, version 1
DOI : 10.1016/S0921-5107(02)00716-X

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Y.S. Lim, F. Bassani, A. Portavoce, A. Ronda, S. Nozaki, et al.. The effect of Sb on the oxidation of Ge quantum dots. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2003, 101 (1-3), pp.190-193. ⟨10.1016/S0921-5107(02)00716-X⟩. ⟨hal-02386306⟩

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