Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: B
Année : 2003
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386306
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:42:47
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:45
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02386306 , version 1
- DOI : 10.1016/S0921-5107(02)00716-X
Citer
Y.S. Lim, F. Bassani, A. Portavoce, A. Ronda, S. Nozaki, et al.. The effect of Sb on the oxidation of Ge quantum dots. Materials Science and Engineering: B, 2003, 101 (1-3), pp.190-193. ⟨10.1016/S0921-5107(02)00716-X⟩. ⟨hal-02386306⟩
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