Article Dans Une Revue
Defect and Diffusion Forum
Année : 2012
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02393966
Soumis le : mercredi 4 décembre 2019-15:44:18
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02393966 , version 1
- DOI : 10.4028/www.scientific.net/DDF.323-325.439
Citer
Omar Abbes, Feng Xu, Alain Portavoce, Christophe Girardeaux, Khalid Hoummada, et al.. Effect of Mn Thickness on the Mn-Ge Phase Formation during Reactions of 50 nm and 210 nm Thick Mn Films Deposited on Ge (111) Substrate. Defect and Diffusion Forum, 2012, 323-325, pp.439-444. ⟨10.4028/www.scientific.net/DDF.323-325.439⟩. ⟨hal-02393966⟩
15
Consultations
0
Téléchargements