, International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003.

J. M. Jacques, L. S. Robertson, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett, vol.82, p.3469, 2003.

R. Duffy, V. C. Venezia, A. Heringa, T. W. Husken, M. J. Hopstaken et al., Appl. Phys. Lett, vol.82, p.3647, 2003.

R. Duffy, V. C. Venezia, A. Heringa, B. J. Pawlak, M. J. Hopstaken et al., Appl. Phys. Lett, vol.84, p.4283, 2004.

T. I. Kamins, J. Manoliu, R. N. Tucker, and T. , J. Appl. Phys, vol.43, p.83, 1972.

K. Sakamoto, K. Nishi, T. Yamaji, T. Miyoshi, and S. Ushio, J. Electrochem. Soc, vol.132, p.2457, 1985.

P. Pichler, Mat. Res. Soc. Symp. Proc, vol.717, p.103, 2002.

S. Solmi, E. Landi, and F. Baruffaldi, J. Appl. Phys, vol.68, p.3250, 1990.

P. C. Zalm and C. J. Vriezema, Nucl. Instrum. Methods B, vol.67, p.495, 1992.

C. E. Allen, D. L. Beke, H. Bracht, C. M. Bruff, M. B. Dutt et al., Diffusion in Semiconductors and Non-Metallic Solids, vol.33, 1998.

J. C. Fisher, J. Appl. Phys, vol.22, p.74, 1951.

R. B. Fair, Concentration profiles of diffused dopants in silicon: Impurity Doping Processes in Silicon, p.135, 1981.

J. S. Christensen, H. H. Radamson, A. Yu, B. G. Kuznetsov, and . Svensson, Appl. Phys. Lett, vol.82, p.2254, 2003.

, Binary Alloy Phase Diagrams, 1996.