Simple Method for Phosphorus Diffusion on <100> Oriented P-Type Silicon Using New Phosphorus Gel as Dopant - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Research Année : 2015

Simple Method for Phosphorus Diffusion on <100> Oriented P-Type Silicon Using New Phosphorus Gel as Dopant

D. Kobor
  • Fonction : Auteur
R. Ndioukane
  • Fonction : Auteur
M. Touré
  • Fonction : Auteur
A. Diallo
  • Fonction : Auteur
N. Fall
  • Fonction : Auteur
M. Biagui
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-03350129 , version 1 (21-09-2021)

Identifiants

Citer

D. Kobor, R. Ndioukane, O. Palais, M. Touré, A. Diallo, et al.. Simple Method for Phosphorus Diffusion on <100> Oriented P-Type Silicon Using New Phosphorus Gel as Dopant. Applied Physics Research, 2015, 7 (2), ⟨10.5539/apr.v7n2p49⟩. ⟨hal-03350129⟩
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