Determination at 300K of the hole capture cross section of chromium-boron pairs in p-type silicon - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006

Determination at 300K of the hole capture cross section of chromium-boron pairs in p-type silicon

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03350260 , version 1 (21-09-2021)

Identifiants

Citer

S. Dubois, O. Palais, P. Ribeyron. Determination at 300K of the hole capture cross section of chromium-boron pairs in p-type silicon. Applied Physics Letters, 2006, 89 (23), pp.232112. ⟨10.1063/1.2402261⟩. ⟨hal-03350260⟩
16 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More