Hysteresis phenomena in reverse biased InAsSbP∕InAs heterostructure

Stéphane Rathgeb; Jean-Pierre Moeglin; Alain Boffy; Marcel Pasquinelli; Olivier Palais

doi:10.1063/1.2220532

Journal Articles Applied Physics Letters Year : 2006

Hysteresis phenomena in reverse biased InAsSbP∕InAs heterostructure

(1, 2) , (2) , (2) , (1) , (1)

1
2

Stéphane Rathgeb

Function : Author

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis

Jean-Pierre Moeglin

Function : Author

Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis

Alain Boffy

Function : Author

Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis

Marcel Pasquinelli

Function : Author

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Olivier Palais

Function : Author

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domains

Physics [physics]

Olivier Palais : Connect in order to contact the contributor

https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-03350270

Submitted on : Tuesday, September 21, 2021-11:03:24 AM

Last modification on : Wednesday, December 1, 2021-3:32:09 PM

Dates and versions

hal-03350270 , version 1 (21-09-2021)

Identifiers

HAL Id : hal-03350270 , version 1
DOI : 10.1063/1.2220532

Cite

Stéphane Rathgeb, Jean-Pierre Moeglin, Alain Boffy, Marcel Pasquinelli, Olivier Palais. Hysteresis phenomena in reverse biased InAsSbP∕InAs heterostructure. Applied Physics Letters, 2006, 89 (2), pp.022106. ⟨10.1063/1.2220532⟩. ⟨hal-03350270⟩

Export

BibTeX TEI Dublin Core DC Terms EndNote Datacite

Collections

UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IM2NP INC-CNRS SITE-ALSACE

27 View

0 Download

Hysteresis phenomena in reverse biased InAsSbP∕InAs heterostructure

Domains

Dates and versions

Identifiers

Cite

Export

Collections

Altmetric

Share