Wafering of ultra-thin silicon substrates by MeV hydrogen implantation: effects of fluence and energy - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Wafering of ultra-thin silicon substrates by MeV hydrogen implantation: effects of fluence and energy

P.S. Pokam Kuisseu
  • Fonction : Auteur
T. Pingault
  • Fonction : Auteur
E. Ntsoenzok
  • Fonction : Auteur
G. Regula
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
F. Mazen
  • Fonction : Auteur
A. Sauldubois
  • Fonction : Auteur
Caroline Andreazza
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://amu.hal.science/hal-01452436

Soumis le : mercredi 1 février 2017-21:46:11

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01452436 , version 1 (01-02-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01452436 , version 1

Citer

P.S. Pokam Kuisseu, T. Pingault, E. Ntsoenzok, G. Regula, F. Mazen, et al.. Wafering of ultra-thin silicon substrates by MeV hydrogen implantation: effects of fluence and energy. Spring E-MRS Conference, May 2016, Lille, France. ⟨hal-01452436⟩

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