Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
IM2NP Bibliométrie : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-01753365
Soumis le : jeudi 29 mars 2018-15:54:23
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01753365 , version 1
Citer
S. Zhiou, M.C. Bennoudia, M. Texier, K. Hoummada. Phase formation between Ni thin films and GaAs substrate. Materials for Advanced Metallization (MAM 2017), Mar 2017, Dresde, Germany. ⟨hal-01753365⟩
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