Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02386151 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

Citer

Ivan Blum, A. Portavoce, D. Mangelinck, R. Daineche, K. Hoummada, et al.. Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (11), pp.114312. ⟨10.1063/1.3035836⟩. ⟨hal-02386151⟩
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