Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics - Aix-Marseille Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02044881 , version 1 (21-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02044881 , version 1

Citer

Omar Abbes, A. Portavoce, V. Le Thanh, Christophe Girardeaux, L. Michez. Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics. Applied Physics Letters, 2013, 103 (17), pp.172405. ⟨hal-02044881⟩
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