Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2004
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02386263
Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:31:57
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02386263 , version 1
- ARXIV : cond-mat/0409256
- DOI : 10.1063/1.1781767
Citer
A. Portavoce, P. Gas, I. Berbezier, A. Ronda, J. Christensen, et al.. Lattice diffusion and surface segregation of B during growth of SiGe heterostructures by molecular beam epitaxy: Effect of Ge concentration and biaxial stress. Journal of Applied Physics, 2004, 96 (6), pp.3158-3163. ⟨10.1063/1.1781767⟩. ⟨hal-02386263⟩
37
Consultations
0
Téléchargements