Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: B
Année : 2003
Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://amu.hal.science/hal-02393594
Soumis le : mercredi 4 décembre 2019-14:26:46
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:28:17
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02393594 , version 1
- DOI : 10.1016/S0921-5107(02)00661-X
Citer
A. Ronda, I. Berbezier, A. Pascale, A. Portavoce, F. Volpi. Experimental insights into Si and SiGe growth instabilities: Influence of kinetic growth parameters and substrate orientation. Materials Science and Engineering: B, 2003, 101 (1-3), pp.95-101. ⟨10.1016/S0921-5107(02)00661-X⟩. ⟨hal-02393594⟩
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