Reactive Diffusion of Thin Si Deposits into Ni (111)

B. Lalmi; C. Girardeaux; Alain Portavoce; Bernard Aufray; Jean Bernardini

doi:10.4028/www.scientific.net/DDF.323-325.421

Article Dans Une Revue Defect and Diffusion Forum Année : 2012

Reactive Diffusion of Thin Si Deposits into Ni (111)

(1) , , (2) , (3) , (2)

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B. Lalmi

Fonction : Auteur

Laboratoire d'Electronique, Nanotechnologies, Capteurs

C. Girardeaux

Fonction : Auteur

Alain Portavoce

Fonction : Auteur

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Bernard Aufray

Fonction : Auteur

Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

Jean Bernardini

Fonction : Auteur
PersonId : 856690

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Alain Portavoce : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://amu.hal.science/hal-02393979

Soumis le : mercredi 4 décembre 2019-15:47:24

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-02393979 , version 1 (04-12-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02393979 , version 1
DOI : 10.4028/www.scientific.net/DDF.323-325.421

Citer

B. Lalmi, C. Girardeaux, Alain Portavoce, Bernard Aufray, Jean Bernardini. Reactive Diffusion of Thin Si Deposits into Ni (111). Defect and Diffusion Forum, 2012, 323-325, pp.421-426. ⟨10.4028/www.scientific.net/DDF.323-325.421⟩. ⟨hal-02393979⟩

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